أعلنت شركة IBM عن إنتاج رقائق بدقة 5 نانومتر بناءً على معيار جديد يُنهي اعتماد معيار FinFET. تستخدم هذه العملية هيكلًا جديدًا مُكوّنًا من أربع صفائح نانوية مُركّبة لاستيعاب 30 مليار ترانزستور على رقاقة بحجم مفصل الإصبع. هذا يعني أنه سيتم إنتاج رقائق فائقة القوة بأبعاد معالجة صغيرة جدًا. إن تقليل الطباعة الحجرية يعني دائمًا إنتاجية أعلى واستهلاكًا أقل للطاقة في نفس البنية، ومع تقنية IBM الجديدة، يُمكن الحفاظ على انخفاض استهلاك الطاقة من خلال زيادة قوة المعالجة.

نصّ قانون مور، الذي طُرح لأول مرة في سبعينيات القرن الماضي، على أن عدد الترانزستورات في الشريحة الواحدة يتضاعف كل عامين. لكن في السنوات الأخيرة، تعرّض هذا القانون للتحدي بسبب القيود الفيزيائية للسيليكون، مما أبطأ وتيرة إضافة الترانزستورات. تُستخدم حاليًا رقائق 14 نانومتر على نطاق واسع في سوق الإلكترونيات الاستهلاكية. ومع ذلك، تحوّلت إنتل وسامسونج إلى رقائق 10 نانومتر للحفاظ على تفوقهما على منافسيهما.

اقرأ المزيد